- 何方;倪冬华;王德全;
通过研究电气与电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers,IEEE)、国际电工委员会(International Electrotechnical Commission, IEC)、光网络互联论坛(Optical Internetworking Forum,OIF)等学术和标准组织发布的相关标准,文中总结了高速双轴铜缆组件、双轴电缆及用于高速铜缆组件连接器件的技术现状;基于IEEE和OIF相关标准工作组正在进行中的标准制定工作,讨论了单通道信息速率达到200 Gb·s~(-1)甚至是400 Gb·s~(-1)的高速铜缆连接在设计、制造、测试等方面所面临的技术挑战。
2025年07期 v.68 1-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 1341K] [下载次数:13 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:6 ] - 刘雅樑;方新春;
文中重点介绍了铜导体平行对高速通信线缆的主要分类、结构、性能、标准及应用环境等,分析了不同系列机外线信道的衰减配置情况,并深入探讨了主要高频参数的设计理论和制程控制等,可为铜导体平行对高速通信线缆的高频参数设计和制造提供参考。
2025年07期 v.68 9-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 1188K] [下载次数:13 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] - 夏春亮;陈丹;赵轩宇;邓捷;梁豫超;葛保泉;徐竞争;杨彬;王少华;
随着人工智能(artificial intelligence,AI)数据中心的需求增加,800 Gb·s~(-1)高速铜缆逐渐成为短距离传输的首选解决方案,但衰减(S_(DD21))等关键性能指标仍限制其传输距离。为了减小|S_(DD21)|,可以采用双层绝缘结构和发泡绝缘材料。相校于传统绝缘结构,采用双层绝缘结构的30 AWG、100Ω铜缆在26.56 GHz时的|S_(DD21)|可减小1.83 dB·(3 m)~(-1);采用发泡绝缘材料后,双层绝缘结构铜缆的|S_(DD21)|可进一步减小。通过发泡绝缘材料和实心绝缘材料的排列组合,30 AWG、100Ω铜缆的4种双层绝缘结构中,“发泡内层+发泡外层”结构具有最小的|S_(DD21)|,但在90°弯折的可靠性验证中,弯曲处阻抗突变高达11.61Ω,可靠性较差。结合可靠性验证,得出“发泡内层+实心外层”结构具有良好的可靠性和较小的|S_(DD21)|,其在26.56 GHz时的|S_(DD21)|较传统绝缘结构减小2.92 dB·(3 m)~(-1)。最后,文中介绍了800 Gb·s~(-1)高速铜缆在生产过程中的关键工艺技术,其中外层绝缘挤出工艺与绝缘结构的对称性直接相关,显著影响差分信号的对称性,会直接影响共模转差分传输系数(S_(CD21))。
2025年07期 v.68 18-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 1198K] [下载次数:18 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:7 ] - 余振飞;尹莹;王忠林;沈丹凤;王一凡;彭春瑶;
基于单对以太网(one-pair Ethernet,OPEN)联盟TC9技术委员会制定的《1 000BASE-T1链路段A类(STP)信道及组件要求》,研究新能源汽车用高速以太网线束的国产化关键技术,重点分析传输性能与电磁兼容性能测试方法,包括特性阻抗、插入损耗、回波损耗等参数,以及三同轴管中管法评估屏蔽性能。对比国产线束与进口线束的性能参数发现,国产线束在基础传输性能(如特性阻抗、传播延迟、插入损耗)上已接近国际水平,但在高频信号完整性和抗干扰能力方面仍存在差距。具体表现为:纵向转换损耗和纵向转换传输损耗裕度较低,抗共模干扰能力不足;外部串音衰减性能较弱,多线束干扰抑制能力待提升;耦合衰减和屏蔽衰减在高频段(30~600 MHz)未达标,尤其在500 MHz以上频段与进口产品差距显著。进一步分析表明,这些差距主要源于屏蔽结构工艺不足,如编织角度偏大、铝塑带绕包方式及连接器压接精度等因素。为实现国产化突破,需要在以下方面加强研发:(1)优化高频屏蔽工艺,采用小角度编织和纵包铝塑带结构;(2)提升连接器与线缆的精密装配技术,减少信号泄漏。
2025年07期 v.68 26-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 1599K] [下载次数:27 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ] - 张军萍;徐升;
针对高速线缆设计中面临的信号完整性挑战,研究电磁仿真技术的优化应用及其对关键传输参数的影响。通过建立三维电磁模型,重点分析导体表面粗糙度、镀层厚度、屏蔽材料、结构耦合强度及导体、绝缘层几何偏芯等多种材料和工艺因素对特性阻抗、差模插入损耗(S_(DD21))及差模到共模传输系数(S_(CD21))的作用机制。研究表明,导体表面粗糙度对S_(CD21)劣化影响显著;强耦合结构可有效改善S_(DD21);导体或内衬层的水平方向偏芯会严重破坏信号平衡性。通过实例的仿真与实测,得出阻抗和S_(DD21)的仿真误差均小于2.5%;S_(CD21)的仿真和实测趋势一致但受工艺波动影响较大。因此,电磁仿真可指导高速线缆性能优化与工艺参数控制,并显著提高设计效率与产品可靠性。
2025年07期 v.68 33-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 1108K] [下载次数:34 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:5 ]